[发明专利]背镀金属LED的切割方法

摘要

本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤生长SiO₂层、涂覆光刻胶、光刻、蚀刻SiO₂沟槽、GaN刻蚀、去光刻胶、SiO₂腐蚀、隐形切割。由于采用上述技术方案，利用SiO₂和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。

主权项

一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N‑GaN层、分别位于所述的N‑GaN层上方的负极、P‑GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，其特征在于：该方法包括依次进行的如下步骤：（a）生长SiO₂层：生长一层覆盖于所述的N‑GaN层、负极、P‑GaN层以及正极上方的SiO₂层；（b）涂覆光刻胶：在所述的SiO₂层上方涂覆一层光刻胶；（c）光刻：通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；（d）蚀刻SiO₂沟槽：蚀刻除去位于分割位置处的SiO₂；（e）GaN刻蚀：蚀刻除去位于分割位置处的GaN层；（f）去光刻胶：去除剩余的光刻胶；（g）SiO₂腐蚀：去除剩余的SiO₂；（h）隐形切割：通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。