[发明专利]硅通孔测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110459319.7 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187399A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔测试结构及测试方法，所述测试结构包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的层间介质层，位于所述半导体衬底和层间介质层内的硅通孔；至少一个互连结构环，所述互连结构环以硅通孔为中心呈环形分布在所述硅通孔外围，所述互连结构环由不同层的金属层和位于所述金属层之间的导电插塞串联而成。由于所述互连结构以硅通孔为中心呈环形分布在所述硅通孔外围，在远离硅通孔的方向上依次对互连结构环的电阻进行测试，并将所述测得的电阻与参考电阻进行比较，即可得到硅通孔对于互连结构的隔离区的范围，方便快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔测试结构，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的层间介质层，位于所述半导体衬底和层间介质层内的硅通孔；其特征在于，还包括，至少一个互连结构环，所述互连结构环呈环形分布在所述硅通孔外围，所述互连结构环由不同层的金属层和位于所述金属层之间的导电插塞串联而成。
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