[发明专利]等离子显示屏的介质保护膜及其制备方法和等离子显示屏无效
申请号: | 201110459371.2 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103794441A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 罗向辉;邢芳丽 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | H01J11/40 | 分类号: | H01J11/40;H01J9/00;H01J11/10 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提供了一种等离子显示屏的介质保护膜,其制备方法及含有其的等离子显示屏。该介质保护膜包括:氧化镁层;以及设置在氧化镁层上表面的绝缘氧化物层,绝缘氧化物层的材料选自由SiO2、TiO2、ZnO、BaTiO3和Al2O3组成的组中的一种或多种。根据本发明的介质保护膜,氧化镁层处在底层,绝缘氧化物层处在顶层,绝缘氧化物层保护氧化镁层在后续的加工工序中暴露在空气中时不被污染,增强了氧化镁保护膜的稳定性,而且在放电的过程中由于绝缘氧化物的厚度很薄,耐溅射能力差,会很快的被溅射掉,继而下层的氧化镁开始发挥其作用,降低了等离子显示屏的放电电压,提高了其发光效率。 | ||
搜索关键词: | 等离子 显示屏 介质 保护膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子显示屏的介质保护膜,其特征在于,所述介质保护膜包括:氧化镁层;以及设置在所述氧化镁层上表面的绝缘氧化物层,所述绝缘氧化物层的材料选自由SiO2、TiO2、ZnO、BaTiO3和Al2O3组成的组中的一种或多种。
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