[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201110461862.0 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762171A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/04;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的凸齿，凸齿之间具有凹槽，凸齿的横截面为矩形；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖凸齿的顶部以及凹槽的侧壁和底部；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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