[实用新型]一种晶体管有效
申请号: | 201120015629.5 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN202487579U | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 何子键;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 | 申请(专利权)人: | 广东中显科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/06 |
代理公司: | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人: | 王凤华 |
地址: | 528225 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种晶体管,包括:多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs,结晶多晶硅薄膜有低的镍浓度,其特征在于,成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供,成核点和补充点重复性有规则分布,实现相同形状和大小的晶畴。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体管 | ||
【主权项】:
一种晶体管,包括:多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs,其特征在于,成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供,成核点和补充点重复性有规则分布,实现相同形状和大小的晶畴。
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