[实用新型]TFT基板、显示装置无效

专利信息
申请号: 201120114454.3 申请日: 2011-04-18
公开(公告)号: CN202084546U 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 毛剑宏;唐德明 申请(专利权)人: 上海丽恒光微电子科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新区张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种TFT基板、显示装置,TFT基板包括基底,位于基底上的TFT开关;TFT开关包括:栅极,源区、漏区,用于电导通源区和漏区的导电沟道,位于栅极和导电沟道之间的栅介质层,与源区电连接的源电极,与漏区电连接的漏电极,电容,电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层;第一极板与栅极位于同一层,第一极板与栅极的材料相同,为透光率小于50%的导电材料;第二极板与源电极和漏电极位于同一层,第二极板与源电极和漏电极的材料相同,为透光率小于50%的导电材料,第二极板与源电极或漏电极电连接。本实用新型可以提高TFT开关与具有MEMS光阀显示装置的兼容性以及性能。
搜索关键词: tft 基板 显示装置
【主权项】:
一种TFT基板,包括基底,位于基底上的TFT开关;所述TFT开关包括:栅极,源区、漏区,用于电导通源区和漏区的导电沟道,位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层,与所述源区电连接的源电极,与所述漏区电连接的漏电极,电容,所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层;其特征在于,所述第一极板与所述栅极位于同一层;所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层,所述第二极板与源电极或漏电极电连接。
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