[实用新型]半导体封装模具的改进有效
| 申请号： | 201120116387.9 | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN202111067U | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 方海军 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体封装模具的改进。按照本实用新型提供的技术方案：半导体封装模具的改进，包括上模和下模，在下模上开设有下模槽道，下模槽道正对基板上的窗口，其特征在于：所述下模上的下模槽道两侧开设有与下模槽道平行的左排气凹槽和右排气凹槽，左排气凹槽和右排气凹槽分别通过缺槽与下模槽道相连通。本实用新型通过对现有的半导体封装模具的结构进行合理改进，即在下模槽道的两侧开设与其相通的左排气凹槽和右排气凹槽，大大加强了封装材料的流动性，提高了封装产品的合格率，因不完全封装的不合格率相比之前减少80%以上，改善了封装产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 模具 改进 | ||
【主权项】：
半导体封装模具的改进，包括上模（1）和下模（3），在下模（3）上开设有下模槽道（4），下模槽道（4）正对基板（2）上的窗口（2a），其特征在于：所述下模（3）上的下模槽道（4）两侧开设有与下模槽道（4）平行的左排气凹槽（7）和右排气凹槽（8），左排气凹槽（7）和右排气凹槽（8）分别通过缺槽（9）与下模槽道（4）相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
