[实用新型]一种阵列基板及其接触端子区电极结构有效
| 申请号： | 201120201999.8 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN202171704U | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 战戈 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1362;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;王黎延 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种阵列基板及其接触端子区电极结构，所述电极采用叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极相互连通。本实用新型通过对PAD区电极结构采用叉形设计，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极是相互连通的，如此，当腐蚀发生在一个子电极的情况下，当腐蚀向四周扩散时，会遇到钝化层而无法继续腐蚀其他子电极，这样，当被腐蚀的子电极断裂后，其他子电极仍能起到连通的作用，避免了整个电极因腐蚀而断裂，很好地提高了现有用户终端市场的产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 接触 端子 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种阵列基板接触端子PAD区电极结构，其特征在于，所述电极采用叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极相互连通。
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