[实用新型]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201120248434.5 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN202178260U | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 覃事建;贺成明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种薄膜晶体管，通过在薄膜晶体管的数据线表面设置通孔，使薄膜晶体管的源极电极或者漏极电极在形成过程中直接同数据线电学连接，节省了工艺成本。进一步地，薄膜晶体管的源极电极和漏极电极也采用多晶硅材料制备，而非现有技术中的金属材料，简化了工艺步骤，从而进一步节省了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：透明衬底；栅极和数据线，所述栅极和数据线设置在所述透明衬底的表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极和所述数据线；非晶半导体层，所述非晶半导体层设置在所述第一绝缘层表面与所述栅极对应的区域；通孔，所述通孔设置在所述第一绝缘层表面与所述数据线对应的区域；源极电极和漏极电极，所述源极电极和漏极电极设置在所述非晶半导体层的两端，源极电极和漏极电极之一通过所述通孔连接至所述数据线；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层表面，并覆盖所述非晶半导体层、通孔以及源极电极和漏极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120248434.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能模组支架结构
- 下一篇：一种平板变压器和开关电源
- 同类专利
- 专利分类
