[实用新型]一种逻辑译码电路有效
申请号: | 201120313088.4 | 申请日: | 2011-08-24 |
公开(公告)号: | CN202178753U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 张盛;胡铁刚;周小爽 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种逻辑译码电路,该逻辑译码电路包括NMOS逻辑单元和电平恢复单元;所述NMOS逻辑单元包括至少两个NMOS管,各NMOS管的栅端作为数据选择端,各NMOS管的源端作为数据输入端,各NMOS管的漏端相连作为NMOS逻辑单元的输出端并输出逻辑译码值;电平恢复单元的输入端接NMOS逻辑单元的输出端,用于将NMOS逻辑单元输出的逻辑译码值的高电平电压上拉至电源电压,同时对NMOS逻辑单元输出的逻辑译码值进行缓冲输出。采用本实用新型的逻辑译码电路,能在避免采用NMOS逻辑单元引起阈值损失的同时,进一步降低系统复杂性以及成本开销。 | ||
搜索关键词: | 一种 逻辑 译码 电路 | ||
【主权项】:
一种逻辑译码电路,其特征在于,包括NMOS逻辑单元和电平恢复单元;所述NMOS逻辑单元包括至少两个NMOS管,各NMOS管的栅端作为数据选择端,各NMOS管的源端作为数据输入端,各NMOS管的漏端相连作为NMOS逻辑单元的输出端并输出逻辑译码值;电平恢复单元的输入端接NMOS逻辑单元的输出端,用于将NMOS逻辑单元输出的逻辑译码值的高电平电压上拉至电源电压,同时对NMOS逻辑单元输出的逻辑译码值进行缓冲输出。
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