[实用新型]蚀刻装置有效
| 申请号： | 201120335146.3 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN202205723U | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;杜亮;李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种蚀刻装置，包括一蚀刻槽和一对槽盖，所述一对槽盖设置于所述蚀刻槽的上方，所述一对槽盖分别和蚀刻槽的顶部两侧活动连接，还包括一对内盖，所述一对内盖设置于所述蚀刻槽的上方并位于所述一对槽盖的下方，且所述一对内盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述一对内盖的相对端分别开设有一对相对的槽口。该蚀刻装置在使用时，当两只机械手臂夹持着带有晶圆的晶舟伸入蚀刻槽后，可以在不撤离机械手臂的前提下关闭内盖，所述相对的槽口在内盖关闭时组成两个供所述机械手臂穿越的通孔，关闭状态的内盖可以在晶圆蚀刻反应过程中防止蚀刻槽内的蚀刻液因蒸发而流失，确保蚀刻速率的稳定性，从而，有效提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻装置，包括一蚀刻槽和一对槽盖，所述一对槽盖设置于所述蚀刻槽的上方，所述一对槽盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，其特征在于，还包括一对内盖，所述一对内盖设置于所述蚀刻槽的上方并位于所述一对槽盖的下方，且所述一对内盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述一对内盖的相对端分别开设有一对相对的槽口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120335146.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
