[实用新型]芯片输入端上拉电阻的静态功耗消除电路有效

专利信息
申请号: 201120349434.4 申请日: 2011-09-19
公开(公告)号: CN202231681U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 张永良;韩兴成;万海军 申请(专利权)人: 苏州聚元微电子有限公司
主分类号: H03K17/78 分类号: H03K17/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种新型芯片输入端上拉电阻的静态功耗消除电路,其包括一作为上拉电阻的NMOS管,作为芯片输入端上拉电阻的静态功耗消除电路的控制电路,及作为控制电路供电的电源电路。芯片输入端通过二极管与芯片内部电路相连,NMOS管与二极管串联在芯片内电源及芯片输入端口之间,NMOS管的栅极与一控制电路的输出端连接,芯片输入端口通过二极管与控制电路的一个或多个输入端连接。采用该电路无论外部驱动电路施加给芯片输入端口上的电平状态如何变化上拉电阻都不会流过静态电流,并且采用该电路允许在芯片输入端口浮置时,自动将输入端口拉至高电平,而不会在上拉电阻流过静态电流,因此均不会发生静态功耗。
搜索关键词: 芯片 输入 端上拉 电阻 静态 功耗 消除 电路
【主权项】:
一种新型芯片输入端上拉电阻的静态功耗消除电路,其特征在于:其包括一作为输入端上拉电阻的NMOS管,作为芯片输入端上拉电阻的静态功耗消除电路的控制电路,及作为所述控制电路供电的电源电路;所述芯片输入端通过第一二极管与芯片内部电路相连,所述NMOS管与所述第一二极管串联在芯片内电源及芯片输入端口之间,所述NMOS管的栅极与所述控制电路的输出端连接,所述芯片输入端口通过所述第一二极管与所述控制电路的一个或多个输入端连接,当所述芯片输入端口为高平时,所述控制电路控制所述NMOS管导通;当所述芯片输入端口为低电平时,所述控制电路控制所述NMOS管截止;当所述输入端口浮置时,所述控制电路自动将输入端口拉至高电位,所述控制电路控制所述NMOS管导通。
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