[实用新型]一种TFT阵列基板及液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201120371170.2 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN202231012U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 谢振宇 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型实施例公开了一种TFT阵列基板及液晶显示器,涉及液晶面板的制造领域,可以减小漏极连接像素电极部分的尺寸,进而增大像素单元的开口率。该TFT阵列基板包括:基板;形成于所述基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极,及形成于所述数据线、源极、漏极上的保护层,和形成于所述保护层上的像素电极,其中,所述栅极、源极、漏极和半导体有源层构成TFT,所述漏极包括漏极TFT区域和漏极与像素电极连接的漏极连接区域,所述保护层设有完全露出所述漏极连接区域的镂空槽,所述像素电极通过所述镂空槽与所述漏极连接区域连接。本实用新型用于液晶面板的制造。
搜索关键词: 一种 tft 阵列 液晶显示器
【主权项】:
一种TFT阵列基板,包括:基板;形成于所述基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极,及形成于所述数据线、源极、漏极上的保护层,和形成于所述保护层上的像素电极,其中,所述栅极、源极、漏极和半导体有源层构成TFT,所述漏极包括漏极TFT区域和漏极与像素电极连接的漏极连接区域,其特征在于,所述保护层设有完全露出所述漏极连接区域的镂空槽,所述像素电极通过所述镂空槽与所述漏极连接区域连接。
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