[实用新型]外延片用衬底、外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 201120372334.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN202282351U | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种外延片用衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有二氧化硅层，在二氧化硅层表面设置有多晶硅层。本实用新型的优点是能够降低单晶硅颗粒数量及表面金属浓度，能够提高外延片的成品率。使用设置二氧化硅层背封的衬底，外延层生长过程中会产生单晶硅颗粒。单晶硅颗粒是二氧化硅层被氢气还原所产生，与背封层致密性有很大关系。因此，本实用新型中，在二氧化硅层表面设置一层多晶硅，可减少单晶硅颗粒。本实用新型还提供了一种外延片及半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
外延片用衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有二氧化硅层，在二氧化硅层表面设置有多晶硅层。
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