[实用新型]一种TFT-LCD阵列基板及液晶显示器有效
| 申请号： | 201120415925.4 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN202259311U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种TFT-LCD阵列基板及液晶显示器，涉及液晶显示领域，用以实现通过减小TFT-LCD阵列基板及液晶显示器的沟道区宽度以减小TFT的关态电流，从而提高TFT特性的目的。所述TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，在栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层；其中，所述有源层在源漏金属层的断开位置为沟道区，所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层，所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区。本实用新型提供的方案应用于液晶显示器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft lcd 阵列 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括栅线和数据线，在栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层；其中，所述有源层在所述源漏金属层的断开位置为沟道区，其特征在于，所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层，所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区。
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