[实用新型]s-bus单总线通讯电路有效

专利信息
申请号: 201120448903.8 申请日: 2011-11-14
公开(公告)号: CN202406128U 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 李童;宋涛;王珺;杨亚萍;柏爱川;左兴龙;祝环芬;王俊;白岩;王俊超;贾桑 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团公司
主分类号: H04L12/40 分类号: H04L12/40
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100007 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型提供了s-bus单总线通讯电路,包括NMOS管M1、M2、PMOS管M3以及反向三态缓冲器U1;MCU置位信号MCU RST分别与NMOS管M1的栅极以及NMOS管M2的栅极的连接;s-bus单总线分别与NMOS管M1的漏极、PMOS管M3的栅极、PMOS管M3的源极以及NMOS管M2的漏极连接;NMOS管M2的源极接地,PMOS管M3的漏极与NMOS管M2的源极连接;MCU发送信号MCT SCT-Tx与反向三态缓冲器U1的第一输入端连接,NMOS管M2的源极与反向三态缓冲器U1的第二输入端连接,MCU发送控制信号与反向三态缓冲器U1的第一控制端连接,反向三态缓冲器U1的第二控制端接地,反向三态缓冲器U1的第一输出端与NMOS管M2的源极连接,MCU接收信号MCU SCI-Rx与反向三态缓冲器U1的第二输出端连接。
搜索关键词: bus 总线 通讯 电路
【主权项】:
s‑bus单总线通讯电路,其特征在于,包括NMOS管(M1、M2)、PMOS管(M3)以及反向三态缓冲器(U1);MCU置位信号(MCU RST)分别与NMOS管(M1)的栅极以及NMOS管(M2)的栅极的连接;s‑bus单总线分别与NMOS管(M1)的漏极、PMOS管(M3)的栅极、PMOS管(M3)的源极以及NMOS管(M2)的漏极连接;NMOS管(M2)的源极接地,PMOS管(M3)的漏极与NMOS管(M2)的源极连接;MCU发送信号(MCT SCT‑Tx)与反向三态缓冲器(U1)的第一输入端连接,NMOS管(M2)的源极与反向三态缓冲器(U1)的第二输入端连接,MCU发送控制信号与反向三态缓冲器(U1)的第一控制端连接,反向三态缓冲器(U1)的第二控制端接地,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端与NMOS管(M2)的源极连接,MCU接收信号(MCU SCI‑Rx)与反向三态缓冲器(U1)的第二输出端连接。
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