[实用新型]一种盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201120516758.2 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN202363434U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 周伯柱;郑载润;吴代吾;王世凯;訾玉宝;张洪波;耿军;刘剑钊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;邓伯英 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备，其中包括：上盖板和下盖板，所述上盖板和下盖板对合设置。本实用新型提供的盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备，将酸雾通过下盖板的通孔和上盖板的排气管口抽离，避免酸雾在上盖板和下盖板的表面凝结成酸性液滴而掉落到基板上，防止酸性液滴对基板刻蚀的影响，使对基板的刻蚀更均匀，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 盖板 湿法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种盖板，其特征在于包括：上盖板和下盖板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
