[实用新型]一种ZnO衬底外延结构以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构有效
| 申请号： | 201120519482.3 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202395023U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 汪英杰;吉爱华;王凯敏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古华延芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 张曰俊 |
| 地址： | 017400 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种ZnO衬底外延结构以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构。所述外延结构的外延片包括从下至上依次设置的ZnO衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P-GaN接触层、N-GaN级联层、第二N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P-GaN接触层。本实用新型的ZnO衬底外延结构及芯片结构不用涂覆荧光粉，因此从根本上摆脱了荧光粉的束缚，发光质量好、显色性好、提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使从白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 衬底 外延 结构 以及 含有 芯片 | ||
【主权项】：
一种ZnO衬底外延结构，包括外延片，其特征在于：所述外延片包括从下至上依次设置的ZnO衬底、GaN过渡层、第一N‑GaN接触层、In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P‑GaN接触层、N‑GaN级联层、第二N‑GaN接触层、In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P‑GaN接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古华延芯光科技有限公司，未经内蒙古华延芯光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120519482.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
