[实用新型]分层 DRAM 感测有效
| 申请号： | 201120536523.X | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN202454285U | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | D·索马谢卡尔;G·潘迪亚;K·张;F·哈姆扎奥卢;B·萨利尼瓦森;S·高希;M·梅苏特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种采用局部位线对和全局位线的分层DRAM感测设备和方法。字线选择感测放大器的集群中的单元，每个放大器与位线的对关联。选择局部位线之一以耦合到全局位线和全局感测放大器。集群位于形成内存库的多个子阵列中，全局位线从每个内存库延伸至全局感测放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 分层 dram 感测 | ||
【主权项】：
具有分层感测的DRAM，其特征在于，包括：全局位线(GBL)的对，在多个子阵列之间延伸，所述GBL端接于全局感测放大器中；每个子阵列中的子阵列感测放大器(SSA)的集群，每个SSA具有耦合到存储器单元的局部位线的对，所述单元由延伸至所述集群中的所有单元的字线选择；以及每个集群受到控制，使得在整个所述集群中选择单个字线且所述集群中的每个SSA在读取循环期间被致能，并且使得仅来自所述集群的一个局部位线的对耦合到所述GBL。
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