[实用新型]一种掩模板及其检测系统有效
| 申请号： | 201120564714.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202443245U | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 董云;彭志龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种掩模板及其检测系统，用以有效避免掩模板切换过程中出现的切换了错误的掩模板的问题。本实用新型公开的掩模板，在该掩模板的两个长边和/或短边，分别设置有卡扣槽。本实用新型还提供了与该掩模板相对应的检测系统，用以检测掩模板切换过程中是否切换了错误的掩模板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模板 及其 检测 系统 | ||
【主权项】：
一种掩模板，其特征在于：在该掩模板的两个长边和/或短边，分别设置有卡扣槽。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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