[实用新型]硅片用托举件有效
申请号: | 201120572218.6 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN202384380U | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 齐海洋;于春瑶 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种硅片用托举件,位于承载基板上,用于托举待镀膜的硅片。该硅片用托举件包括:定位部,其包括第一夹壁和第二夹壁,第一夹壁和第二夹壁之间形成与所述承载基板相配合的夹槽;位于该定位部底侧的托举部,该托举部包括第一托臂和第二托臂,第一托臂和第二托臂分别外伸于所述第一夹壁和第二夹壁的外侧面,且所述第一托臂和第二托臂的顶面均向远离所述夹槽的一端倾斜。上述硅片用托举件,与硅片的接触面为侧面,该侧面不需要镀膜,第一托臂和第二托臂与硅片的待镀膜面之间留有间隙,即该硅片用托举件未与硅片的待镀膜面接触,从而减小了对硅片镀膜的影响,减小了硅片表面颜色不一致的区域,进而提高了硅片的镀膜质量。 | ||
搜索关键词: | 硅片 托举 | ||
【主权项】:
一种硅片用托举件,位于承载基板(26)上,用于托举待镀膜的硅片(27),其特征在于,包括:定位部,所述定位部包括第一夹壁(21)和第二夹壁(24),所述第一夹壁(21)和第二夹壁(24)之间形成与所述承载基板(26)相配合的夹槽(23);位于所述定位部底侧的托举部,所述托举部包括第一托臂(22)和第二托臂(25),所述第一托臂(22)和第二托臂(25)分别外伸于所述第一夹壁(21)和第二夹壁(24)的外侧面,且所述第一托臂(22)和第二托臂(25)的顶面均向远离所述夹槽(23)的一端倾斜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源(中国)有限公司,未经英利能源(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120572218.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的