[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180004242.2 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103189990A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 林宏;川岛孝启;河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;徐健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜半导体器件(10)的制造方法，包括：第一工序，准备基板(1)；第二工序，在基板(1)上形成栅电极(2)；第三工序，在栅电极(2)上形成栅极绝缘膜(3)作为第一绝缘膜；第四工序，在栅极绝缘膜(3)上形成成为沟道层(4)的非晶半导体薄膜(4a)；第五工序，在非晶半导体薄膜(4a)上形成沟道保护膜(5)作为第二绝缘膜；第六工序，通过对沟道保护膜(5)照射光线，提高沟道保护膜(5)的透射率；以及第七工序，在沟道层(4)的上方形成源电极(7S)以及漏电极(7D)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜半导体器件的制造方法，包括：第一工序，准备基板；第二工序，在所述基板上形成栅电极；第三工序，在所述栅电极上形成第一绝缘膜；第四工序，在所述第一绝缘膜上形成成为沟道层的半导体薄膜；第五工序，在所述半导体薄膜上形成第二绝缘膜；第六工序，通过对所述第二绝缘膜照射光线，提高所述第二绝缘膜的透射率；以及第七工序，在所述沟道层的上方形成源电极以及漏电极。
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