[发明专利]反射基材、背光源单元及反射基材的制造方法无效
| 申请号： | 201180005259.X | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102713691A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 西胁利光;森田修幸;石川明彦;山根基宏;林大辅;河井功一;佐藤佑辅 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;B32B3/30;B32B5/18;B32B7/02;F21V7/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨黎峰;李欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够可靠地防止产生亮度不均的反射基材、使用该反射基材的背光源单元及反射基材的制造方法。利用激光位移计（3）取得反射基材（7）的表面形状信息。接着，将所得的凹凸信息进行傅立叶变换，针对反射基材的表面凹凸形状，可获得频率和强度的关系。然后，将计算出的频率和强度的关系、与预先设定的基准数据进行比较。在规定范围的频率区域中，若强度超过0.6时则判断为不合格，在该判断区域中若不存在超过0.6的数据，则判断为合格。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 基材 背光源 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种反射基材，其用于背光源单元，其特征在于，对通过测定出反射基材宽度方向的多个点所得的表面凹凸数据进行傅立叶变换，根据所得的频率和强度的关系，在测定点数设为N点时，则波长为128mm以下的波成分的强度为0.6N／128以下。
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