[发明专利]凹陷半导体衬底有效
| 申请号： | 201180005381.7 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102687255A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;边海梅 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 本公开内容的实施例提供一种装置，该装置包括：半导体衬底，具有第一表面，与第一表面相对设置的第二表面，其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域，以及一个或者多个过孔，形成于半导体衬底的凹陷区域中以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路；以及裸片，耦合到半导体衬底，该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。可以描述和/或要求保护其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：半导体衬底，具有：第一表面，第二表面，与所述第一表面相对设置，其中所述第一表面的至少部分被凹陷以形成所述半导体衬底的凹陷区域，以及一个或者多个过孔，形成于所述半导体衬底的所述凹陷区域中以在所述半导体衬底的所述第一表面与所述第二表面之间提供电或者热通路；以及裸片，耦合到所述半导体衬底，所述裸片电耦合到所述在半导体衬底的所述凹陷区域中形成的所述一个或者多个过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
