[发明专利]硅通孔光刻对准与配准

摘要

一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。

主权项

一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：在衬底内形成第一开口，所述开口具有特定的长度、宽度与深度；使用至少一种填充材料来填充所述第一开口；构图在所述衬底之上的保护材料，所述保护材料包括工艺控制标记并且包括位于所述第一开口之上并与所述第一开口对准的第二开口；以及通过所述保护材料内的所述第二开口从所述第一开口去除所述填充材料，所述工艺控制标记包括所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受所述填充材料的去除的影响。