[发明专利]结构体的制造方法和液体排出头用基板的制造方法有效
| 申请号： | 201180005841.6 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102741155A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 寺崎敦则;久保田雅彦;柬理亮二;福本能之 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B41J2/05;B41J2/16 |
| 代理公司： | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人： | 魏启学 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅基板的加工方法，其包括：设置第一硅基板、第二硅基板和包括多个凹部的中间层的组合，所述中间层设置在第一硅基板和第二硅基板之间；在第一硅基板的与中间层的接合面相对的表面上，通过使用第一掩模，进行第一硅基板的蚀刻而形成贯通第一硅基板的第一贯通口，并露出对应于中间层的多个凹部的中间层部分；通过去除构成多个凹部的底部的部分而在中间层上形成多个开口；和借助使用在其上形成多个开口的中间层作为掩模，通过进行第二硅基板的第二蚀刻而形成贯通第二硅基板的第二贯通口。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 液体 出头 用基板 | ||
【主权项】：
一种硅基板的加工方法，其包括：设置第一硅基板、第二硅基板和包括多个凹部的中间层的组合，所述中间层设置在所述第一硅基板和所述第二硅基板之间；在所述第一硅基板的与所述中间层的接合面相对的表面上，通过使用第一掩模，进行所述第一硅基板的蚀刻而形成贯通所述第一硅基板的第一贯通口，并露出对应于所述中间层的多个凹部的中间层部分；通过去除构成多个凹部的底部的部分而在所述中间层上形成多个开口；和通过使用在其上形成多个开口的中间层作为掩模进行所述第二硅基板的第二蚀刻而形成贯通所述第二硅基板的第二贯通口。
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