[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的课题在提供一种采用SGT的高度集成化的静态型存储单元，以及提供一种确保了动作稳定性的静态型存储单元。此课题通过下述手段而解决：以包围在第1岛状半导体的周围上的第1栅极绝缘膜、其第1面邻接于第1栅极绝缘膜的第1栅极电极、配置于第1岛状半导体的上部的第1个第1导电型高浓度半导体、及配置于第1岛状半导体的下部的第2个第1导电型高浓度半导体来构成第1驱动晶体管；以其第1面邻接于第1栅极电极的第2面的第2栅极绝缘膜、以邻接第2栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成的第1弧状半导体、配置于第1弧状半导体的上部的第1个第2导电型高浓度半导体、及配置于第1弧状半导体的下部的第2个第2导电型高浓度半导体来构成第1负载晶体管；以及具有从第1栅极电极延伸且由与第1栅极电极相同的材料构成的第1栅极配线，且第1栅极配线的上表面较第1个第2导电型高浓度半导体的上端低。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：配置于第1行第1列的第1反相器；配置于第2行第2列的第2反相器；配置于第1行第2列的第2存取晶体管；以及配置于第2行第1列的第1存取晶体管；其中，该第1反相器具有：第1驱动晶体管、第1负载晶体管、以及第1栅极配线，该第1驱动晶体管为由以下组件构成：包围在第1岛状半导体的周围上的第1栅极绝缘膜；其第1面邻接于第1栅极绝缘膜的第1栅极电极；配置于第1岛状半导体的上部的第1个第1导电型高浓度半导体；以及配置于第1岛状半导体的下部的第2个第1导电型高浓度半导体；该第1负载晶体管为由以下组件构成：其第1面邻接于第1栅极电极的第2面的第2栅极绝缘膜；以邻接第2栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成的第1弧状半导体；配置于第1弧状半导体的上部的第1个第2导电型高浓度半导体；以及配置于第1弧状半导体的下部的第2个第2导电型高浓度半导体；第1栅极配线为从第1栅极电极延伸且由与第1栅极电极相同的材料构成；该第2反相器具有：第2驱动晶体管、第2负载晶体管、以及第2栅极配线，该第2驱动晶体管为由以下组件构成：包围在第2岛状半导体的周围上的第3栅极绝缘膜；其第1面邻接于第3栅极绝缘膜的第2栅极电极；配置于第2岛状半导体的上部的第3个第1导电型高浓度半导体；以及配置于第2岛状半导体的下部的第4个第1导电型高浓度半导体；该第2负载晶体管为由以下组件构成：以邻接第4栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成的第2弧状半导体，其中，该第4栅极绝缘膜的第1面为邻接于第2栅极电极的第2面；配置于第2弧状半导体的上部的第3个第2导电型高浓度半导体；以及配置于第2弧状半导体的下部的第4个第2导电型高浓度半导体；该第2栅极配线为从第2栅极电极延伸且由与第2栅极电极相同的材料构成；该第2存取晶体管为具有：至少一部分邻接于第3岛状半导体的周围上的第5栅极绝缘膜；部分邻接于第5栅极绝缘膜的第3栅极电极；配置于第3岛状半导体的上部的第5个第1导电型高浓度半导体；以及配置于第3岛状半导体的下部的第6个第1导电型高浓度半导体；该第1存取晶体管为具有：至少一部分邻接于第4岛状半导体的周围上的第6栅极绝缘膜；部分邻接于第6栅极绝缘膜的第4栅极电极；配置于第4岛状半导体的上部的第7个第1导电型高浓度半导体；以及配置于第4岛状半导体的下部的第8个第1导电型高浓度半导体；第1栅极配线的上表面较第1个第2导电型高浓度半导体的上端低；第2栅极配线的上表面较第3个第2导电型高浓度半导体的上端低。