[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201180006698.2 | 申请日: | 2011-01-20 |
公开(公告)号: | CN102782807A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 黑川祯明;滨田晃一;小林信雄;长岛裕次 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;龚晓娟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够更高效地加热并高效地使用处理液对板状基板的表面进行处理的基板处理装置。该基板处理装置具有向保持在旋转的基板保持部(10)上的板状基板(100)的表面供给处理液S的处理液供给机构(50),利用处理液S对板状基板(100)的表面进行处理,该基板处理装置具有:处理液保持板(15),其与保持在基板保持部(10)上的板状基板(100)的表面隔着规定的间隔相对配置,与板状基板(100)的表面之间保持有处理液;以及加热部(20),其与处理液保持板(15)的包含与基板保持部(10)的旋转轴对应的位置在内的规定区域接触,对该规定区域进行加热,处理液供给机构对与基板保持部(10)一起旋转的板状基板(100)的表面与被加热部(20)加热的处理液保持板(15)之间的间隙供给处理液S。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其具有处理液供给机构,该处理液供给机构向保持在以规定的旋转轴为中心进行旋转的基板保持部上的板状基板的表面供给处理液,该基板处理装置利用所述处理液对所述板状基板的表面进行处理,其特征在于,该基板处理装置具有:处理液保持板,其与被保持在所述基板保持部上的所述板状基板的表面隔着规定的间隔相对配置,在与所述板状基板的表面之间保持处理液;以及加热部,其与所述处理液保持板的包含与所述基板保持部的所述旋转轴对应的位置在内的规定区域接触,对该规定区域进行加热,所述处理液供给机构向与所述基板保持部一起旋转的所述板状基板的表面与被所述加热部加热的处理液保持板之间的间隙供给所述处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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