[发明专利]光半导体、使用了它的光半导体电极和光电化学单元、以及能量系统有效
| 申请号： | 201180007084.6 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102858456A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 野村幸生;铃木孝浩;宫田伸弘;羽藤一仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | B01J35/02 | 分类号： | B01J35/02;B01J23/08;B01J27/24;C01G15/00;C25B1/04;C25B9/00;C25B11/06;H01M8/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 使用 电极 光电 化学 单元 以及 能量 系统 | ||
【主权项】：
一种光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，其中，具有在通式：In2xGa2(1‑x)O3(ZnO)y中、O的一部分由N置换了的组成，且x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。
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