[发明专利]双腔室处理系统有效
申请号: | 201180007654.1 | 申请日: | 2011-04-25 |
公开(公告)号: | CN102741975A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 明·徐;安德鲁·源;伊万斯·里;杰瑞德·阿哈默德·里;詹姆斯·P·克鲁斯;克里·林恩·柯布;马丁·杰夫·萨里纳斯;安克·舍内尔;伊兹拉·罗伯特·高德;约翰·W·雷恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于双腔室处理系统的方法和设备,并且在一些实施例中,该设备可包括第一工艺腔室和第二工艺腔室以及多个共享资源,多个共享资源介于第一与第二工艺腔室之间,第一工艺腔室与第二工艺腔室具有独立处理空间。在一些实施例中,共享资源包括共享真空泵、共享气体面板,或共享热传递源中的至少一者。 | ||
搜索关键词: | 双腔室 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种用于处理基材的双腔室处理系统,所述双腔室处理系统包括:第一工艺腔室,所述第一工艺腔室具有第一真空泵以维持所述第一工艺腔室的第一处理空间中的第一操作压力,其中所述第一处理空间可通过第一闸阀来选择性地隔离,所述第一闸阀布置在所述第一处理空间与所述第一真空泵的低压侧之间;第二工艺腔室,所述第二工艺腔室具有第二真空泵以维持所述第二工艺腔室的第二处理空间中的第二操作压力,其中所述第二处理空间可通过第二闸阀来选择性地隔离,所述第二闸阀布置在所述第二处理空间与所述第二真空泵的低压侧之间;共享真空泵,所述共享真空泵耦合到第一和第二处理空间,以将各个处理空间中的压力降低到低于临界压力水平,其中所述共享真空泵可与所述第一工艺腔室、所述第二工艺腔室、所述第一真空泵,或所述第二真空泵的任一者选择性地隔离;以及共享气体面板,所述共享气体面板耦合到所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室的各个,以将一种或多种工艺气体提供到第一和第二工艺腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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