[发明专利]用于连续井的去耦电容的系统和方法无效
| 申请号： | 201180008748.0 | 申请日： | 2011-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102754214A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/06;H05K1/02;H01L21/336;H01L27/08 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种去耦电容包括一对形成在相反极性的井（102,104）中的MOS电容（106,108）。每个MOS电容具有一组井带和高剂量植入物（110,112,114,116），实现聚集或耗竭偏置下的高频性能。每个MOS电容的顶部导体均电连接至其他MOS电容的井带并与逻辑晶体管的井的偏置一致。MOS电容的井带和/或高剂量植入物显示相对于其掺杂物极性的非对称性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 连续 电容 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种去耦电容结构，包括：第一井，其具有第一掺杂物极性和形成在其中的第一高剂量植入物；第二井，其与所述第一井相邻，并且具有与所述第一掺杂物极性相反的第二掺杂物极性，所述第二井具有形成在其中的第二高剂量植入物；至少一层绝缘层，其形成在所述第一高剂量植入物和所述第二高剂量植入物上；第一组井带，其形成在所述第一井中；第二组井带，其形成在所述第二井中；第一导体，其形成在与所述第一高剂量植入物相邻的所述第一井上；以及第二导体，其形成在与所述第二高剂量植入物相邻的所述第二井上；其中所述第一组井带和所述第二导体共同与第一电节点相连，并且所述第二组井带和所述第一导体共同与第二电节点相连；以及其中所述第一组井带、所述第二组井带和所述高剂量植入物中的至少一种与掺杂物极性相比为非对称。
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