[发明专利]存储器中的参考单元写入操作无效
| 申请号： | 201180015331.7 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102822898A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 金正丕;哈利·M·拉奥;李霞 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;G11C11/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种选择用于写入操作的参考电路的方法。所述方法包括基于行解码电路和列解码电路的输出而选择用于写入操作的参考电路。所述参考电路与存储器阵列中的多个存储器单元中的至少一者的写入操作同时地编程而不需要外部参考电路写入命令。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 中的 参考 单元 写入 操作 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器，其包括：多个存储器单元；用以将逻辑1值写入到第一参考单元的第一写入电路；用以将逻辑0值写入到第二参考单元的第二写入电路；列解码电路；行解码电路；其中所述参考单元中的每一者可基于所述行解码电路和所述列解码电路的输出而经选择以用于写入操作。
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