[发明专利]发射辐射的半导体器件有效
| 申请号： | 201180015349.7 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102947957A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | M.维特曼恩 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;卢江 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发射辐射的半导体器件，具有芯片连接区（3），发射辐射的半导体芯片（1），以及光吸收材料（4），其中发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）覆盖的位置处用该光吸收材料（4）覆盖，以及发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 辐射 半导体器件 | ||
【主权项】：
发射辐射的半导体器件，具有－芯片连接区（3），－发射辐射的半导体芯片（1），－以及光吸收材料（4），其中－发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，－芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）掩盖的位置处用光吸收材料（4）覆盖，以及－发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。
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