[发明专利]电路基板、半导体装置、电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180015573.6 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102822961A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 近藤正芳;牧野夏木;藤原大辅;伊藤有香 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/14;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 电路基板（1）中第一绝缘层（21）的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（A）为3ppm/℃～30ppm/℃。另外，第二绝缘层（23）的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（B）与第三绝缘层（25）的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数（C）相等。（B）和（C）大于（A），（A）与（B）的差、（A）与（C）的差为5ppm/℃～35ppm/℃。 | ||
| 搜索关键词： | 路基 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种电路基板，具备：第一绝缘层，贯通有导体，第一电路层，设置在所述第一绝缘层的一侧，与所述导体连接，第二绝缘层，覆盖所述第一电路层并且在所述第一电路层的一部分上形成有开口，第二电路层，设置在所述第一绝缘层的另一侧，与所述导体连接，第三绝缘层，覆盖所述第二电路层，焊料层，设置在所述第二绝缘层的开口内、且设置在所述第一电路层上；所述第一绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数A为3ppm/℃～30ppm/℃，所述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数B与所述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数C相等，所述第二绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数B和所述第三绝缘层的25℃～玻璃化转变温度的基板面内方向的平均线膨胀系数C大于所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A，所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A与所述第二绝缘层的平均线膨胀系数B的差、所述第一绝缘层的平均线膨胀系数A与所述第三绝缘层的平均线膨胀系数C的差为5ppm/℃～35ppm/℃。
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