[发明专利]半导体器件及方法有效
| 申请号： | 201180015877.2 | 申请日： | 2011-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102822975A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 维什努·K·凯姆卡;塔希尔·A·坎;黄伟晓;祝荣华 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 晶体管(21、41)采用浮动埋层。该浮动埋层可以易受耦合于该浮动埋层的噪声的影响。在IGFETS中，这是通过提供耦合该埋层(102、142、172、202)的常开开关(80、80′)和IGFET的源极(22、42)或漏极(24、44)来减少或消除的。当该晶体管(71、91)关闭时，这就夹住该埋层电压并且基本上度防止噪声耦合到那。当漏极-源极电压VDS超过开关(80、80′)的阈值电压Vt时，它就关闭，允许埋层(102、142、172、202)浮动，从而恢复正常晶体管动作而不降低击穿电压或导通电阻。在优选实施例中，常开横向的JFET(801、801、801-1、801-2、801-3)合宜地提供这种开关功能。横向的JFET(801-3)可以通过罩的变化而不是通过添加或定制任何加工步骤包含在器件(70、70′、90、90′)中，从而在不显著提高生产成本的情况下提供了改进的抗噪声能力。该改进不但适用于P沟道晶体管(90-1)而且适用于N沟道晶体管(70-1、70-2、70-3)并且对LDMOS器件特别有用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：MOS晶体管，所述MOS晶体管具有源极、漏极和栅门；有条件浮动埋层，所述有条件浮动埋层位于所述MOS晶体管下面；以及具有断开阈值Vt的常开开关，所述常开开关被调整为在导通状态时将所述有条件浮动埋层耦合于所述源极和漏极中的一个,以及在断开状态时使所述埋层相对于所述源极和漏极中的一个浮动。
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