[发明专利]沉积敷形氮化硼膜

摘要

形成氮化硼或者硼碳氮化物绝缘体制造没有负载效应的敷形层的方法。绝缘层通过在衬底上化学气相沉积（CVD）含硼膜而形成，沉积的至少一部分不用等离子体执行，并且随后曝光沉积的含硼膜在等离子体中。CVD组分控制沉积工艺，产生了不具负载效应的敷形膜。该绝缘层是可灰化的，并可用氢等离子体去除而不影响周围材料。与诸如氧化硅或氮化硅等其他前段隔离物或者硬质掩膜材料相比，该绝缘层具有非常低的湿法蚀刻速率，并且具有相对低的介电常数，其比氮化硅低得多。

主权项

一种形成绝缘层的方法，包括：在等离子体处理腔中接收衬底；通过工艺形成氮化硼或者硼碳氮化物膜，所述工艺包括，在所述衬底上化学气相沉积含硼膜，所述沉积的至少一部分不用等离子体执行；以及，使所沉积的所述含硼膜暴露在等离子体中。