[发明专利]光半导体集成元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180017099.0 | 申请日： | 2011-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102834990A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 奥村滋一;江川满;苫米地秀一;植竹理人 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光半导体集成元件，其特征在于，其含有在基板的（001）面上方形成的第1光半导体元件、和在前述基板的（001）面上方且在前述第1光半导体元件的[110]方向上与前述第1光半导体元件光学连接地形成的第2光半导体元件，并且，前述第1光半导体元件，含有第1芯层、和在前述第1芯层上方形成且在前述第2光半导体元件侧的侧面上具有与（001）面构成的角度为55°以上且90°以下的第1结晶面的第1覆层。
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