[发明专利]用于有机半导体器件的空穴导电层的掺杂材料及其应用有效
| 申请号： | 201180018027.8 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102947414A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 大卫·哈特曼;扎比内·希什科夫斯基;安德烈亚斯·卡尼茨;安娜·马尔滕贝格尔;维布克·萨尔费特;冈特·施密德;扬·豪克·韦姆肯 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;H01L31/0256;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在有机电子器件中的空穴注入层的新型的金属有机物材料，其中所述有机电子器件尤其为如有机发光二极管（OLED）或者有机发光电化学池（OLEEC）或者有机场效应晶体管或者有机太阳能电池或者有机光检测器的发光器件。如尤其为有机发光二极管（图1）的有机电子器件的辉度（cd/m2）、效率（cd/A）和使用寿命（h）与在发光层中的激子密度和载流子注入质量极其相关，并且此外也通过所述激子密度和载流子注入质量来限制。本发明描述一种由二次平面单核过渡金属络合物制成的空穴注入层，例如铜2+-络合物，所述过渡金属络合物嵌入到空穴导电的基体中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 半导体器件 空穴 导电 掺杂 材料 及其 应用 | ||
【主权项】：
用于有机电子器件的空穴导电层，其中，包含单核二次平面过渡金属络合物掺杂材料被引入到空穴导电基体中，所述过渡金属络合物包含中心原子和配位体。
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