[发明专利]具有可变数量的使用写端口的多端口存储器有效
| 申请号： | 201180018612.8 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102844814A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | A·C·鲁塞尔;张沙彦 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多端口存储器（10）根据一方法操作。数据通过第一电导（36）从第一端口（位线1）以第一模式写入到存储单元的储存节点（24）。第一模式的特征在于电源电压以第一电平应用在电源节点（VDD）处。数据同时通过第一电导从第一端口和通过第二电导（40）从第二端口（位线0）以第二模式写入到存储单元的储存节点。第二模式的特征在于电源电压以与该第一电平不同的第二电平应用在电源节点（VDD）处。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可变 数量 使用 端口 多端 存储器 | ||
【主权项】：
一种多端口存储器，包括：存储单元，具有储存节点；第一通道晶体管，耦接在该储存节点与第一端口之间；第二通道晶体管，耦接在该储存节点与第二端口之间；以及写入装置，耦接到该第一端口和该第二端口以用于当该多端口存储器由电源节点处的第一电压供电时，从该第一端口和该第二端口之一分别经由该第一通道晶体管和该第二通道晶体管之一以第一模式写入数据到该储存节点，并且用于当该多端口存储器由该电源节点处的与该第一电压不同的第二电压供电时，同时从该第一端口和该第二端口经由该第一通道晶体管和该第二通道晶体管以第二模式同时写入数据到该储存节点。
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