[发明专利]光学记录介质有效
| 申请号： | 201180018935.7 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102859596A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 三木刚;宫胁真奈美;田内裕基 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;B41M5/26;G11B7/24;G11B7/254;G11B7/257 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种光学记录介质，其包括：基板，两个至四个记录层，其中所述记录层中的到少一者或多者是特定记录层，所述特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的到少一者、PdO、以及PdO2的组分，并且其中与所述特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司;株式会社神户制钢所，未经索尼公司;株式会社神户制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180018935.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
