[发明专利]在通孔和刻蚀结构中形成并图案化共形绝缘层的方法无效
| 申请号： | 201180019434.0 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102844856A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·迪蒂奇奥 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81B1/00;H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;张颖玲 |
| 地址： | 英国格*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用在掩膜层下形成根切轮廓的刻蚀工艺来形成通孔。通孔涂覆有共形绝缘层，且对结构应用刻蚀工艺以从水平表面去除绝缘层，留下在通孔的竖直侧壁上的绝缘层。通孔的顶部区域在回蚀工艺中受到根切硬掩膜的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 结构 形成 图案 化共形 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成结构的方法，包括：a.在衬底上刻蚀出通孔或槽图案，所述通孔或槽图案包括位于侧壁上的悬突；以及b.沉积出涂覆在所述悬突的部分底面的上和所述侧壁上的介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
