[发明专利]具有改进的稳定性和减小的位单元大小的低功率5T SRAM有效
| 申请号： | 201180020995.2 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102859601A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金圣克;朴贤国;宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;格立新;王忠泽;韩秉莫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种5晶体管静态随机存取存储器5T SRAM经设计以实现减小的单元大小和对工艺变化的免疫力。所述5T SRAM(400)包含用于存储数据的存储元件(402)，其中所述存储元件耦合到第一电压与接地电压。所述存储元件可包含对称大小的交叉耦合的反相器。单一存取晶体管(M5)控制所述存储元件(402)上的读取和写入操作。控制逻辑(M6、M6′)经配置以产生与针对读取操作的所述第一电压的值不同的针对写入操作的所述第一电压的所述值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 稳定性 减小 单元 大小 功率 sram | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器SRAM，其包括：存储元件，其用于存储数据，其中所述存储元件耦合到第一电压和接地电压；存取晶体管，其用以存取所述存储元件上的操作；以及控制逻辑，其经配置以产生与针对读取操作的所述第一电压的值不同的针对写入操作的所述第一电压的所述值。
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