[发明专利]检查装置及检查方法有效
申请号: | 201180021893.2 | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102884609A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 深泽和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 董惠石 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 检查装置(1)具备:载台(5),支撑被曝光装置曝光而于表面形成有既定图案的晶圆(10);照明系(20),对支撑于载台(5)的晶圆(10)的表面照射照明光;摄影装置(35),检测来自被照射照明光的晶圆(10)的表面的光;以及影像处理部(40),利用在某曝光装置设定的作为基准的聚焦条件或作为基准的曝光量,从被摄影装置(35)检测的来自被不同曝光装置(60)曝光的晶圆(10)表面的光的资讯,进行与该不同曝光装置(60)相关的聚焦条件或曝光量的调整值的算出。 | ||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种检查装置,其特征在于,具备:照明部,能以照明光照明借由曝光形成的图案;检测部,检测来自前述被照明的图案的反射光;以及运算部,比较第1变化情况与第2变化情况,算出前述第1变化情况与前述第2变化情况的偏差,该第1变化情况是以多个第1曝光条件形成的图案的检测结果相对于前述第1曝光条件的变化情况,该第2变化情况,是照明以在与前述第1曝光条件的范围至少一部分重复的范围内间隔为已知的多个第2曝光条件形成的图案后来自该图案的反射光的检测结果相对于前述第2曝光条件的变化情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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