[发明专利]具有局部电流吸收器的存储器装置有效
| 申请号： | 201180023083.0 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102893336A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 金正丕;哈里·M·拉奥 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C13/00;G11C29/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 电流 吸收 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种电子装置，其包括：一个或一个以上写入驱动器；至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线；以及电流吸收器电路，其包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。
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