[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201180025735.4 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102906563A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 初川聪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72;G01R31/26;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，将多个SiC半导体芯片安装到安装基板上(S1)，对安装基板上的SiC半导体芯片施加电压(S2)。在施加有电压的状态下，使用红外线热像仪、红外线显微镜等热影像装置获取安装基板表面的温度分布图像(S3)，通过进行图像解析从而判断不合格芯片的有无(S5)。在安装基板上包含不合格芯片时(S5：是)，通过切断该不合格芯片的配线从而排除不合格芯片(S7)。由此，提供一种使用小容量芯片的半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成并联连接多个半导体元件的电路的工序；以及检查工序，对构成上述电路的半导体元件进行检查，上述半导体装置的制造方法的特征在于，上述检查工序包括如下工序：对形成于上述基板上的电路中所包含的各半导体元件施加电压；检测各半导体元件是否伴随施加电压而发热；以及切断检测出发热的半导体元件与其它半导体元件之间的连接。
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