[发明专利]光伏电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201180032207.1 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103119674A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | G·霍蒂斯;E·埃德里;E·拉比诺维奇 | 申请（专利权）人： | 曳达研究和发展有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种用于制造诸如光伏电池等半导体器件的方法。所述方法包括：提供包含ZnO层的结构体；对所述结构体施加一定时间的表面处理，以在所述ZnO层上形成ZnS层；和在所述ZnS层上沉积有源结构体。所述有源结构体可以是光吸收性结构体(包括光吸收性半导体)或分子光吸收性染料。ZnO层和有源结构体之间提供的ZnS缓冲层改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：‑提供包含ZnO层的结构体；‑对所述结构体施加一定时间的表面处理，以在所述ZnO层上形成ZnS层；和‑在所述ZnS层上沉积有源结构体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曳达研究和发展有限公司，未经曳达研究和发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180032207.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双显温度水龙头
- 下一篇：执行装置和用于驱控的方法
