[发明专利]具有改进的粘合的半导体器件及制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201180032433.X | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102947938A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | V.米茨科夫斯基;H.哈莱特纳 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过设置宽带隙半导体层、在该宽带隙半导体层中设置多个凹进部、以及在该多个凹进部内中设置金属栅接触来制造宽带隙半导体器件。保护层可设置在宽带隙半导体层上，该保护层具有延伸穿过其的第一开口，电介质层可设置在该保护层上，该电介质层具有延伸穿过其且比第一开口窄的第二开口，且金属栅接触可设置在第一及第二开口中。可将该金属栅接触设置为包括在多个凹进部中的势垒金属层，以及在该势垒金属层上且远离宽带隙半导体层的电流散布层。同样讨论了相关的器件及制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 粘合 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种宽带隙半导体器件，包括：具有顶面的宽带隙半导体层；在该宽带隙半导体层的顶面中的多个凹进部；以及在所述凹进部内以及在所述凹进部之间的宽带隙半导体层的顶面的多个部分上的金属栅接触。
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