[发明专利]成形电路部件的制造方法无效
申请号: | 201180033366.3 | 申请日: | 2011-02-22 |
公开(公告)号: | CN103053227A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 汤本哲男;渡边充广;斋藤裕一 | 申请(专利权)人: | 三共化成株式会社 |
主分类号: | H05K3/18 | 分类号: | H05K3/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明中,仅在成为电路的部分选择性地形成密合性强的化学镀层,在其他不成为电路的部分不进行粗糙化。对合成树脂的基体(1)的成为电路的部分(11)选择性地照射波长为405~1064nm的激光束(2),在吸附钯的离子催化剂后通过还原剂还原为金属钯。然后在成为电路的部分(11)形成化学镀层(3)。由于成为电路的部分(11)被表面改性且粗糙化,因而离子催化剂牢固附着,化学镀层(3)牢固密合。在未照射激光束(2)的不成为电路的部分(12),由于没有吸附离子催化剂,不形成化学镀层(3)。 | ||
搜索关键词: | 成形 电路 部件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种成形电路部件的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:成形合成树脂的基体的第1步骤;照射波长为405~1064nm的激光束,对所述基体的成为电路的部分进行选择性粗糙化的同时进行表面改性的第2步骤;使所述基体与由一种金属离子构成的离子催化剂接触的第3步骤;将所述离子催化剂通过还原剂还原为金属的第4步骤;和在所述基体的成为电路的部分成形化学镀层的第5步骤。
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