[发明专利]半导体聚合物

摘要

本发明涉及包含基于噻吩并[3,4-b]噻吩的重复单元的新型聚合物、单体及它们的制备方法，它们在有机电子(OE)器件、尤其是有机光伏(OPV)器件中作为半导体的用途，以及涉及包含这些聚合物的OE和OPV器件。

主权项

1.包含一种或多种相同或不同的式I重复单元的共轭聚合物其中星号表示与相邻基团的连接，Ar¹每次出现时相同或不同地是选自下式的基团Ar²每次出现时相同或不同地是选自下式的基团W是S、Se或O，V是CH或N，X¹和X²每次出现时相同或不同地并且彼此独立地是O、S或Se，X是H或F，R每次出现时相同或不同地表示F、Cl、Br、I、CN，或具有1－35个C原子的直链、支化或环状的烷基，其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR⁰=CR⁰⁰-或-C≡C-代替并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替，或者表示未取代的或被一个或多个非芳族基团R¹取代的具有4－30个环原子的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳基氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳氧基羰基或杂芳氧基羰基，R⁰和R⁰⁰彼此独立地是H或任选取代的碳基或烃基，其任选包含一个或多个杂原子，R¹每次出现时相同或不同地是H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰R⁰⁰、-C(=O)X⁰、-C(=O)R⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅、任选取代的甲硅烷基，任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1－40个C原子的碳基或烃基，或者P-Sp-，R²和R³每次出现时相同或不同地并且彼此独立地具有对于R或R¹给出的含义之一，其优选不同于H，R⁴每次出现时相同或不同地具有对于R或R¹给出的含义之一，P是可聚合或可交联基团，Sp是间隔基团或单键，X⁰是卤素。