[发明专利]用于快速估计集成电路布局中的光刻绑定图案的方法有效
申请号: | 201180034018.8 | 申请日: | 2011-07-06 |
公开(公告)号: | CN102986002A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | S·巴赫里;D·L·德玛里斯;M·加布拉尼;D·O·梅尔维尔;A·E·罗森布鲁斯;田克汉 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供光刻难度度量,该光刻难度度量是以下因子的函数:能量比因子,包括衍射级沿着空间频率空间的角度坐标θi的难以印刷能量与易于印刷能量之比;能量熵因子,包括所述衍射级沿着所述角度坐标θi的能量熵;相位熵因子,包括所述衍射级沿着所述角度坐标θi的相位熵;以及总能量熵因子,包括所述衍射级的总能量熵(430,440)。难以印刷能量包括衍射级在空间频率空间的归一化径向坐标r的如下值处的能量,这些值在r=0的邻域中和在r=1的邻域中,并且易于印刷能量包括衍射级位于归一化径向坐标r的中间值处的能量,这些中间值在r=0的邻域与r=1的邻域之间。光刻难度度量的值可以用来标识设计布局的图案,这些图案是优化计算中的绑定图案。光刻难度度量可以用来设计具有良好、相对易于印刷特性的集成电路。 | ||
搜索关键词: | 用于 快速 估计 集成电路 布局 中的 光刻 绑定 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种设计集成电路布局的方法,包括以下步骤:提供待印刷的特征的多个布局(410);针对所述多个布局中的每个布局确定空间频率空间中的衍射级(420);提供包括以下各项的函数的光刻难度度量(430,440):能量比因子,包括所述衍射级沿着所述空间频率空间的角度坐标θi的难以印刷能量与易于印刷能量之比,其中所述难以印刷能量包括所述衍射级在所述空间频率空间的归一化径向坐标r的值处的能量,所述值在r=0的邻域中并且在r=1的邻域中,并且所述易于印刷能量包括所述衍射级的位于所述归一化径向坐标r的中间值处的能量,所述中间值在所述r=0的邻域与所述r=1的邻域之间;能量熵因子,包括所述衍射级沿着所述角度坐标θi的能量熵;相位熵因子,包括所述衍射级沿着所述角度坐标θi的相位熵;以及总能量熵因子,包括所述衍射级的总能量熵;针对所述多个布局中的每个布局计算所述光刻难度度量的值(450);并且基于所述光刻难度度量的所述值评价所述多个布局中的每个布局(460)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180034018.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种谐振腔
- 下一篇:一种过流保护电源电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造